Transistor,  Berechnung:

Emitterschaltung  (Silicium, Kleinsignal, NPN):



Schaltung 1:

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  V
    mA  
  x
     

Die Ergebnisse der Berechnung (Richtwerte) werden an der Grafik sichtbar.
UB = IRC =
     Stromverstärkung ca.  140
Diode (Si, UD ca.  0V7) für bessere Temperaturstabilität verwenden   *

Parameter:
UB = Betriebsspannung,  IRC = Strom durch RC,   hfe = Stromverstärkung des Transistor (Datenblatt, hfe-Test),
Strom durch Spannungsteiler IT(R1,R2) ca. 15 * IBE,   Spannung an RE ca. 1 V,  UBE ca. 0V7.
Spannung zwischen C und E min. 1 V,   Uout = optim. Ruhespannung zwischen C und Masse.


Die Diode* wird, sofern verwendet, mittels Wärmeleitkleber mit dem Transistorgehäuse verbunden.

Kondensator CE für Konstantes Potential an RE bei Wechselstromansteuerung (fo = Frequenz, Sinus).
Kurzschluss bei Wechselstrom, Gegenkopplung nur für Gleichstrom. Verbesserte Leistung.
 

Kondensator über RE:
RE     Ω
fo  khz
 
CE    ca. --
grober  Richtwert




Schaltung 2:



UB = 5  V,   IRC = 1 mA,   hfe = 200 x  
R1 = 859k,   RC = 2000,   UCE = 3  V,   IRCmax = 2 mA

UB = IRC = hfe =

Parameter:
UC0 = optim. Ruhespannung UCE,  IRC = Ruhestrom durch RC,   IRCmax. = maximal IRC für UCE ≥ 1V,   UBE = 0V7.





Hinweis um Verwechslung zu vermeiden:
Wird ein bestimmter hfe-Wert gefordert, muss ein Transistor mit diesem hfe-Wert verwendet werden.
Eine Veränderung, sagen wir mal von  hfe = 120 auf hfe = 250, nur mit der Beschaltung, ist nicht möglich!



Beispiel aus Datenblatt:  hfe-Wert des NPN-Kleinsignaltransistor BC337 (zufällige Auswahl).







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