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V
mA
x
Die Ergebnisse der Berechnung (Richtwerte) werden an der Grafik sichtbar.
UB =
IRC =
Stromverstärkung ca. 140
Diode (Si, UD ca. 0V7) für bessere Temperaturstabilität verwenden
*
Parameter: UB = Betriebsspannung, IRC = Strom durch RC,
hfe = Stromverstärkung des Transistor (Datenblatt,
hfe-Test),
Strom durch Spannungsteiler IT(R1,R2) ca. 15 * IBE,
Spannung an RE ca. 1 V, UBE ca. 0V7.
Spannung zwischen C und E min. 1 V,
Uout = optim. Ruhespannung zwischen C und Masse.
Die Diode* wird, sofern verwendet, mittels Wärmeleitkleber mit dem Transistorgehäuse verbunden.
Kondensator CE für Konstantes Potential an RE
bei Wechselstromansteuerung (fo = Frequenz, Sinus).
Kurzschluss bei Wechselstrom, Gegenkopplung nur für Gleichstrom. Verbesserte Leistung.
Hinweis um Verwechslung zu vermeiden:
Wird ein bestimmter hfe-Wert gefordert, muss ein Transistor mit diesem hfe-Wert verwendet werden. Eine Veränderung, sagen wir mal von
hfe = 120 auf hfe = 250, nur mit der Beschaltung, ist nicht möglich!
Beispiel aus Datenblatt: hfe-Wert des NPN-Kleinsignaltransistor BC337 (zufällige Auswahl).