Transistor,  hfe-Test:



Messung der Stromverstärkung (Gleichstrom) von NPN- und PNP-(Si-)Kleinsignaltransistoren:
hfe = IC ⁄ IB

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NPN: Die Spannung über R3, in mV, entspricht ca. dem hfe-Wert.

UZ = 5.1V IB = 100µAU ca. 9V
R1 = 1300 R2 = 44K R3 = 10

Z-Diode:   Strom durch Basis (IB)

Auswahl um Bauteilwerte zu aktualisieren.





U = Betriebsspannung, UBE = Basis-Emitter-Spannung (0V7), UZ = Spannung Z-Diode,
IB = Strom durch Basis, IZ = Strom durch Z-Diode.


PNP: Die Werte der Bauteile können aus der NPN-Schaltung (oben) übernommen werden.




Messung der Stromverstärkung (Gleichstrom) von Standard-Leistungstransistoren bis 10A:



T1 ist ein BD-Type (hfe von ca. 140 bis 180, Ic bis 2A).


Beispiel: Ein IB von ca. 400 mA kann, bei einem hfe-Wert von 15, einen IC von 6 A verursachen.




Stromverstärkung eines unbekannten Transistors (Thj = Sperrschichttemperatur).
Vermutlich ein 2N3055.





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